華邦核心產(chǎn)品包含閃存（Code Storage Flash Memory）、利基型動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（Specialty DRAM）及移動隨機(jī)存取內(nèi)存（Mobile DRAM），以下產(chǎn)品為PSRAM存儲芯片，屬于偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器芯片，內(nèi)部為DRAM核心外加SRAM接口，產(chǎn)品的容量范圍為1/4/8/16/32/64Mb，常用容量為32/64Mb，電壓范圍在1.8V/3.3V/5V.，我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實(shí)用的產(chǎn)品。可兼容替換ISSI/CYPRESS/Lyontek/Renesas等品牌同類別PSRAM產(chǎn)品。| Part No. | Density | Voltage | Speed | Temp. | Organization | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| W966D6HBG | 64MB | 1.8V | 133MHz / 70ns | -40~85℃ | 4Mbit x16 CRAM | 聯(lián)系我們 |
| W956D6HBC | 64MB | 1.8V | 133MHz / 70ns | -40~85℃ | 4Mbit x16 CRAM-ADM | 聯(lián)系我們 |
| W956D6KBK | 64MB | 1.8V | 133MHz / 70ns | -40~85℃ | 4Mbit x16 CRAM-ADM | 聯(lián)系我們 |
| W956K6HBC | 32MB | 1.8V | 133MHz / 70ns | -40~85℃ | 2Mbit x16 CRAM-ADM | 聯(lián)系我們 |
| W966K6HBG | 32MB | 1.8V | 133MHz / 70ns | -40~85℃ | 2Mbit x16 CRAM | 聯(lián)系我們 |
| MT45W1MW16PDGA-70 | 16M | 1.7V--1.95V | 70ns | -40~85℃ | -- | 聯(lián)系我們 |
| MT45W1MW16BDGB-701 | 16M | 1.7V--1.95V | 70ns | -40~85℃ | -- | 聯(lián)系我們 |
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