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偽靜態(tài)隨機存儲器芯片（Psram）

PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小,
同時,PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。
比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。
由SPI、Quad SPI (QPI) 和Octal SPI (OPI)幾種串行接口，用于需要小型化的場合，
能夠提供帶寬范圍從100Mbps ~ 2.128Gbps的大范圍。

EMI
ISSI

ISSI用0.25微米工藝技術(shù)生產(chǎn)最新進的pSRAM產(chǎn)品，產(chǎn)品都是由代工服務(wù)商代為生產(chǎn)，以下產(chǎn)品為PSRAM存儲芯片，屬于偽靜態(tài)隨機存儲器芯片，內(nèi)部為DRAM核心外加SRAM接口，產(chǎn)品的容量范圍為1/4/8/16/32/64Mb，常用容量為32/64Mb，電壓范圍在1.8V/3.3V/5V.，我司可根據(jù)客戶不同的產(chǎn)品需求推薦性價比高且實用的產(chǎn)品?？杉嫒萏鎿QISSI/CYPRESS/Lyontek/Renesas等品牌同類別PSRAM產(chǎn)品。

型號	容量	位寬	電壓(V)	速度(ns)	封裝(Pins)	PDF
IS66WVE4M16ALL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V	70	TFBGA(48)	聯(lián)系我們
IS66WVC4M16ALL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯(lián)系我們
IS66/67WVC4M16EALL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯(lián)系我們
IS66/67WVC4M16ECLL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯(lián)系我們
IS66WVD4M16ALL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯(lián)系我們
IS66/67WVE4M16EALL/EBLL/ECLL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	聯(lián)系我們
IS66/67WVE4M16TALL/TBLL/TCLL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	聯(lián)系我們
IS66/67WVC2M16EALL	32Mb	2Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯(lián)系我們
IS66/67WVC2M16ECLL	32Mb	2Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯(lián)系我們
IS66/67WVE2M16EALL/EBLL/ECLL	32Mb	2Mx16	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	聯(lián)系我們
IS66/67WV1M16EBLL	16Mb	1Mx16	1.7-1.95V	70	mBGA(48)	聯(lián)系我們
IS66/67WVC1M16EALL	16Mb	1Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯(lián)系我們
IS66WVD1M16ALL	16Mb	1Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯(lián)系我們
IS66/67WVE1M16EALL/EBLL/ECLL	16Mb	1Mx16	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	聯(lián)系我們
IS66/67WV51216EBLL	8Mb	512Kx16	1.7-1.95V	70	TSOP2(44),mBGA(48)	聯(lián)系我們
IS66/67WVE51216EALL/EBLL/ECLL	8Mb	512Kx16	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	聯(lián)系我們

備注：如需了解更多關(guān)于產(chǎn)品資訊，請聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠為您服務(wù)。

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