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磁性非易失MRAM
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磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片（MRAM）磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片（MRAM）

一種非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。
它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，
以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入
Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來提供不會(huì)產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。
Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲(chǔ)信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。
Everspin代理商logoEverspin Technologies 串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時(shí)序，沒有寫入延遲，而且耐讀/寫能力出色。與其他串行存儲(chǔ)器不同，這些存儲(chǔ)器的讀/寫操作可以是隨機(jī)的，而且沒有寫入延遲。 Everspin MRAM可以說是理想的存儲(chǔ)器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。能夠運(yùn)行于工業(yè)級(jí)（-40°至+85 °C）和AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125 °C)溫度范圍內(nèi)，并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。
型號(hào) 容量 位寬 電壓(V) 溫度 封裝 MOQ /托盤 MOQ /卷帶 PDF
MR25H40CDC 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃to+85℃ 8-DFN 570 4,000 聯(lián)系我們
MR20H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯(lián)系我們
MR25H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40 ℃to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯(lián)系我們
MR25H40MDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯(lián)系我們
MR25H10CDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 570 4,000 聯(lián)系我們
MR25H10MDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 570 4,000 聯(lián)系我們
MR25H10CDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯(lián)系我們
MR25H10MDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯(lián)系我們
MR25H256CDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 570 4,000 聯(lián)系我們
MR25H256MDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 570 4,000 聯(lián)系我們
MR25H256CDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯(lián)系我們
MR25H256MDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 570 4,000 聯(lián)系我們
備注：如需了解更多關(guān)于產(chǎn)品資訊，請(qǐng)聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠(chéng)為您服務(wù)。