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磁性非易失MRAM
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磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片（MRAM）磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片（MRAM）

一種非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。
它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫(xiě)入能力，
以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入
Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來(lái)提供不會(huì)產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。
Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲(chǔ)信息，以在單一、可無(wú)限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。
everspin代理商logoEverspin Technologies 并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫(xiě)周期，并擁有出色耐久性。與其他串行存儲(chǔ)器不同，這些存儲(chǔ)器的讀/寫(xiě)操作可以是隨機(jī)的，而且沒(méi)有寫(xiě)入延遲。對(duì)于MRAM來(lái)說(shuō)，數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫(xiě)入。 Everspin MRAM可以說(shuō)是理想的存儲(chǔ)器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。
型號(hào) 容量 位寬 封裝 電壓 溫度 MOQ(pcs) /Tray MOQ(pcs) /T&R PDF
MR4A08BCMA35 16Mb 2Mx8 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃ 480 2500 聯(lián)系我們
MR2A16AYS35 16Mb 256Kx16 44-TSOP 3.3V 0℃to +70℃ 270 1500 聯(lián)系我們
MR2A16ACYS35 16Mb 256Kx16 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃ 270 1500 聯(lián)系我們
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MR2A08ACMA35 4Mb 512Kx8 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃ 696 2000 聯(lián)系我們
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MR4A16BCYS35 4Mb 1Mx16 54-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃ 216 1000 聯(lián)系我們
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MR0A08BCMA35 1Mb 128Kx8 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃ 696 2000 聯(lián)系我們
MR0DL08BMA45 1Mb 128Kx8 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃to +70℃ 696 2000 聯(lián)系我們
MR0D08BMA45 1Mb 128Kx8 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃to +70℃ 696 2000 聯(lián)系我們
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MR0A16AMA35 1Mb 64Kx16 48-BGA 3.3V 0℃to +70℃ 696 2000 聯(lián)系我們
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MR2A16AVMA35 1Mb 256Kx16 48-BGA 3.3V -40℃ to +105℃ 696 2000 聯(lián)系我們
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備注：如需了解更多關(guān)于產(chǎn)品資訊，請(qǐng)聯(lián)系我們 0755-2372 3970，我們竭誠(chéng)為您服務(wù)。