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ISSI代理64Kx16高速異步SRAM芯片IS61WV6416DBLL

來源: 日期:2021-11-22 11:33:07

ISSI IS61WV6416DBLL是一款位寬為64Kx16的異步SRAM芯片存儲器,采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。,這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合,產(chǎn)生了高性能和低功耗的設(shè)備。當CE為高電平(取消選擇)時,器件進入待機模式,在該模式下,功耗可以隨著CMOS輸入電平的降低而降低。通過使用芯片使能和輸出使能輸入、CE和OE,可以輕松擴展內(nèi)存。有效的低寫入使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高字節(jié)(UB)和低字節(jié)(LB)訪問。IS61WV6416DBLL采用JEDEC標準44針TSOPTypeII、44針400-milSOJ和48針迷你BGA(6mmx8mm)封裝。
 
特征
高速:IS61WV6416DBLL
•高速訪問時間:8、10、12、20ns
•低有功功率:135mW(典型值)
•低待機功耗:12µW(典型值)
CMOS待機
•單電源
—Vdd2.4V至3.6V
•完全靜態(tài)操作:無需時鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•高字節(jié)和低字節(jié)的數(shù)據(jù)控制
•工業(yè)和汽車溫度支持
•無鉛可用
 
ISSI主要是為汽車,通信,數(shù)字消費,以及工業(yè)和醫(yī)療市場設(shè)計和開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM 和中低密度 DRAM。還設(shè)計和銷售 NOR 閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。ISSI代理宇芯電子可提供樣品測試及技術(shù)支持。

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