傳統(tǒng)制程大多數(shù)集中于8英寸晶圓，但目前8英寸晶圓產(chǎn)能非常緊缺，且新廠投資不足，均以擴產(chǎn)為主。這是因為過去很多年間8英寸產(chǎn)能過剩，導(dǎo)致價格“跌跌不休”，谷底時期只有大約300美金。很多工廠，尤其是日本的一些半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)閉了8英寸的產(chǎn)線。同時5G手機對PMIC、模擬電路需求量有比較大的增加。尤其是PMIC，其制程集中在180/150nm，主要為8英寸和少部分12英寸，并不會有大幅度的提升。需求量的增加隨即導(dǎo)致了目前Power相關(guān)器件非常嚴(yán)重的缺貨情況。
 
目前來看，針對8寸產(chǎn)線沒有新廠的投資，大多數(shù)投資均為擴產(chǎn)。比如中芯國際的財報中顯示大約會增加45000片的擴產(chǎn)計劃。擴產(chǎn)實際是為了滿足增加的迫切需求，但要徹底解決8寸制成緊缺的問題，仍需要將8寸的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向12寸。因為12寸產(chǎn)能產(chǎn)出大，同樣時間條件下，其產(chǎn)出可達(dá)到2倍多，這一點從臺積電使用12寸晶圓為聯(lián)發(fā)科生產(chǎn)PMIC電源產(chǎn)品，華虹宏力使用12寸晶圓進(jìn)行BCD電源產(chǎn)品制造就能看出。
 
全球半導(dǎo)體的投資在今年也將有一個較大的躍升。過去幾年間，2019年呈現(xiàn)了下滑態(tài)勢，由于缺貨、短缺的情況，2021年則有超過20%的大幅度增加。這些增長主要體現(xiàn)在以下幾個方面：一是先進(jìn)制程，以及目前緊缺的28nm工藝上；二是NAND Flash方面的投資會有比較大的增加，DRAM情況稍好，因為DRAM廠商為了控制整個市場的高位價格，其投資較為保守；三是一些國內(nèi)半導(dǎo)體公司均在向12英寸轉(zhuǎn)移，即用12英寸工廠生產(chǎn)90nm以下或55nm以下產(chǎn)品，合肥晶合、廣州粵芯等都在進(jìn)行此類嘗試。
 
預(yù)估2021至2025年全行業(yè)資本支出將一直維持在1300億美元以上的高位，其中大部分將投入到NAND閃存、先進(jìn)工藝制程(5納米及以下)和12英寸成熟制程(90/65納米等)上。

關(guān)鍵詞：NAND閃存