2017 年 10 月，兆易創(chuàng)新宣布斥巨資進(jìn)軍 DRAM 市場(chǎng)，資金高達(dá)人民幣 180 億元，與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股有限公司合作，主要目標(biāo)是研發(fā) 19 納米制程的 DRAM 存儲(chǔ)器，計(jì)劃在 2018 年底前研發(fā)成功。關(guān)于研發(fā)成功的標(biāo)準(zhǔn)就是達(dá)成產(chǎn)品良率不低于 10% 的水準(zhǔn)。

 

另外，關(guān)于合肥長(zhǎng)鑫 12 寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地計(jì)劃，其中的 300 臺(tái)研發(fā)設(shè)備已全部到位，營(yíng)運(yùn)及研發(fā)團(tuán)隊(duì)全部到位，預(yù)計(jì)在 2018 年下半年將投片試產(chǎn)。合肥長(zhǎng)鑫有望在今年內(nèi)造出第一顆中國(guó)本土生產(chǎn)的 19 納米制程 DRAM 存儲(chǔ)器，也就是與兆易創(chuàng)新合作的那個(gè) 19 納米制程存儲(chǔ)器。

 

事實(shí)上，目前全球 DRAM 三大廠(chǎng)，包括三星、美光、SK Hynix 都早已經(jīng)完成了 20 納米制程的 DRAM 芯片的研發(fā)，三星還夠?qū)⒅髁χ瞥踢M(jìn)一步推進(jìn)至新一代的 18 納米制程上。因此，合肥長(zhǎng)鑫的 19 納米存儲(chǔ)器一旦能夠生產(chǎn)，將是目前除了三大廠(chǎng)之外，最為先進(jìn)的制程。

 

合肥長(zhǎng)鑫的 DRAM 計(jì)劃投資金額超過(guò) 72 億美元，預(yù)計(jì)建設(shè)三期工程。目前建設(shè)的是一期工程 12 寸晶圓廠(chǎng)，建成之后預(yù)計(jì)月產(chǎn)能為 12.5 萬(wàn)片。預(yù)計(jì)這個(gè)產(chǎn)量將達(dá)到全球 DRAM 存儲(chǔ)器產(chǎn)能的 8%。

 

關(guān)于合肥長(zhǎng)鑫的 19 納米制程 DRAM 存儲(chǔ)器生產(chǎn)計(jì)劃，最關(guān)鍵的部分在于良率上，因?yàn)槟壳昂戏书L(zhǎng)鑫的 19 納米制程 DRAM 存儲(chǔ)器良率還是很低，雖然研發(fā)目標(biāo)是不低于 10%，但即使是這個(gè)水準(zhǔn)，還是不可能進(jìn)行進(jìn)一步的量產(chǎn)。所以，要完全解決良率的問(wèn)題可能還需要幾年的時(shí)間。 

關(guān)鍵詞：DRAM

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