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RRAM芯片的優(yōu)勢

來源:宇芯有限公司 日期:2018-03-27 15:17:41

RRAM不是目前唯一的存儲器改進。將來可以與NAND和DRAM對抗的其他形式的非易失性存儲器包括Everspin的磁阻RAM(MRAM)和相變存儲器(PCM),這是三星和美光正在追求的存儲器類型。還有賽道存儲器,石墨烯存儲器和憶阻器——惠普自己的RRAM類型。
 
研究公司ForwardInsights的創(chuàng)始人兼首席分析師 Gregory Wong認為Crossbar的RRAM是一種可行的產(chǎn)品,未來一定會挑戰(zhàn)NAND。他說:“當我提到NAND,就說明是3D NAND。”
 
賽道存儲器至少還需要五年才會可行。Wong說:“現(xiàn)在,它看起來像一個有趣的概念。未來它最終能否變得商業(yè)化還不能肯定。相變的問題在于:在存儲器市場中它能夠適應哪里?現(xiàn)在它的定位是一個NOR的替代品。其性能和耐久性像是NOR,而不是NAND。”
 
正常情況下,當你看到別人吹捧RRAM時,會心存許多懷疑;但當你看到Crossbar和它的技術時,會發(fā)現(xiàn)很有趣。Handy也相信硅制作的存儲器,如Crossbar的RRAM,將繼續(xù)占據(jù)存儲器市場的主導地位,因為晶圓廠已經(jīng)做好充分的準備去使用它了,而且硅還是一種廉價的材料。
 
Handy說:“硅會盡可能的維持其對新材料的優(yōu)勢,直到3D NAND開始衰退,像Crossbar的技術才會發(fā)揮作用,目前看來,在2D技術停止發(fā)展后3D NAN技術才會發(fā)揮真正作用,距現(xiàn)在還有二到三代工藝的時間。”
 
NAND閃存工藝技術每12個月左右不斷發(fā)展。例如,英特爾即將從19nm節(jié)點移至14nm。這意味著它可能在兩到三年之內(nèi)失去動力。
 
不是每個人都認為3D NAND會這么快沒落。
 
應用材料技術人員的高級主管和主要成員Gill Lee認為3D NAND也許會增長至100層以上的深度。應用材料提供了制作NAND閃存和RRAM的半導體工業(yè)機器。他說:“3D會使NAND工藝繼續(xù)升級制程。我認為它能夠發(fā)展得很遠。”
 
Lee說,他已經(jīng)看到了加工廠把3DNAND發(fā)展到128層的路線圖。第一代3D NAND,24層深,接下來的就是亞20nm節(jié)點2DNAND,但因為它更密集,3D NAND將存儲器制造的每比特成本降低30%左右。消費者是否會看到更大密度的NAND閃存,或者加工廠僅僅繼續(xù)以更低成本創(chuàng)造相同的存儲容量,這取決于該行業(yè)。


關鍵詞:RRAM     MRAM

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