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RRAM和3D NAND性能介紹

來源: 日期:2018-03-26 15:00:05

在存儲器性能和存儲容量方面來說,RRAM和3D NAND都代表著一個巨大的飛躍。和今天的平面NAND閃存相比,Crossbar的RRAM確保了20倍的寫性能和10倍的耐久性。Minassian說,像3DNAND一樣,RRAM存儲器進行芯片堆疊,1TB 模塊的尺寸大概是相似容量NAND閃存模塊尺寸的一半。
 
3D NAND提供了數(shù)倍容量。每個NAND閃存“摩天大樓”可以實現(xiàn)容量翻倍。三星表示,它的V-NAND最初只擁有128GB到1TB的嵌入式系統(tǒng)和SSD,“取決于客戶的需求。”所以,三星似乎決定性的降低每比特價格 用來占領市場,而不是提高容量來推動V-NAND銷量。
 
Crossbar的初始RRAM芯片能夠存儲1TB的數(shù)據(jù),它能在尺寸小于郵票的芯片上進行存儲,這相當于200mm見方表面上存儲了250小時的高清電影。


 
在性能方面,RRAM還有另一個優(yōu)勢?,F(xiàn)在的NAND閃存芯片大約有7MB/秒的寫速度。SSD和閃存卡通過并發(fā)運行多個芯片可以達到400MB/秒的速度。
 
3D NAND和RRAM宣稱的高性能代表著存儲設備不再是現(xiàn)在的系統(tǒng)瓶頸。在未來,瓶頸因素將是總線——計算機組件之間的通信層。簡而言之,如果NAND閃存是一個每小時100英里的汽車,RRAM是每小時200英里的汽車,不管他們的速度有多快,如果道路中有一個彎道,那么速度會限制到每小時50英里。
 
Crossbar表示,除了性能,RRAM還使用少部分功率存儲NAND閃存使用的數(shù)據(jù),這意味著它有助于延長電池壽命“幾周,幾個月或是幾年”。
 
例如,NAND閃存需要20伏電壓將一些數(shù)據(jù)寫入硅芯片中,而RRAM寫入這些數(shù)據(jù)只需要4微安。
 
推動RRAM發(fā)展的不僅有Crossbar?;萜蘸退上露家呀?jīng)開發(fā)他們自己版本的電阻存儲器,但據(jù)ObjectiveAnalysis 的首席分析師Jim Handy說,Crossbar對其他開發(fā)者有巨大的幫助。這種技術的一大優(yōu)勢是選擇裝置內(nèi)置在單元中。在其他RRAM中不是這樣,必須內(nèi)置一些外部的二極管或晶體管。這個領域已經(jīng)獲得了大量的研究經(jīng)費,但對于許多其他技術仍是一個棘手的問題。
 
Handy說,即使其他技術提供了更好的性能,RRAM替代性技術的市場仍是有限的,因為閃存制造商傾向于使用最便宜的技術。
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