ReRAM是創(chuàng)新型的、高能效的存儲(chǔ)器技術(shù)
來(lái)源： 日期：2018-01-25 14:50:54
阻變隨機(jī)存儲(chǔ)器在眾多創(chuàng)新型的、低能耗、更加微縮性、高容量、高性能以及高可靠性的存儲(chǔ)解決方案的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)中被普遍認(rèn)為是最有前景的技術(shù)。典型的ReRAM存儲(chǔ)單元，在兩個(gè)金屬電極之間，像三明治結(jié)構(gòu)那樣，部署使用了轉(zhuǎn)換介質(zhì)材料，從而使轉(zhuǎn)換介質(zhì)材料在加載特定的電壓條件下，表征為不同的電阻特性。依靠于所選取的不同轉(zhuǎn)換介質(zhì)材料和存儲(chǔ)單元的組織架構(gòu)，所能得到的性能差異是明顯的。
與閃存不同的是，ReRAM是可以比特/字節(jié)級(jí)尋址的，并且是能夠?qū)崿F(xiàn)可獨(dú)立重寫(xiě)的小頁(yè)面架構(gòu)。片上存儲(chǔ)通過(guò)防止了閃存所必需的數(shù)據(jù)管理所帶來(lái)的大量的后臺(tái)存儲(chǔ)器訪問(wèn)，從而最大化地簡(jiǎn)化了微控制器的復(fù)雜程度。它還可以使用更寬的存儲(chǔ)器總線，突破多個(gè)計(jì)算核和存儲(chǔ)之間的帶寬瓶頸。ReRAM在減小讀寫(xiě)延遲、降低能耗和延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命等方面取得了顯著的優(yōu)勢(shì)。
在存儲(chǔ)單元層面，ReRAM提高了寫(xiě)性能，降低了功耗；在系統(tǒng)層面，片上存儲(chǔ)器減少了相較于外部非易失性存儲(chǔ)器高達(dá)50倍的能耗。而且，更低的、更易預(yù)測(cè)的訪問(wèn)延遲可以減少代碼提取和數(shù)據(jù)流的執(zhí)行時(shí)間，從而降低了能耗。
對(duì)各個(gè)組件進(jìn)行不同的機(jī)械互連和為應(yīng)對(duì)不同復(fù)雜度的各種方法會(huì)降低良品率并提高總的制造成本。而存儲(chǔ)器的單片集成再也不需要這些機(jī)械互連和應(yīng)對(duì)不同復(fù)雜度的方法。而且，ReRAM技術(shù)可以很容易地被集成到標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏輯電路中并且很容易地利用現(xiàn)有的CMOS代工廠進(jìn)行制造。相較于藍(lán)牙低功耗BLE的無(wú)線發(fā)送能耗，更多的片上存儲(chǔ)可以使數(shù)據(jù)日志應(yīng)用節(jié)省40倍的能耗。
ReRAM解決方案帶來(lái)了互連中的物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的偉大創(chuàng)新。能夠很容易地、大容量地與邏輯電路、模擬電路和RF組件集成于單個(gè)SoC中,并能夠在無(wú)須電池充電的條件下運(yùn)行多年的低能耗、快速、非易失性大容量存儲(chǔ)器，也使得未來(lái)的智能設(shè)備在物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)縱橫跨越成為可能。
關(guān)鍵詞：
ReRAM
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