存儲器芯片的封裝類型

2016年，引線鍵合BGA占據(jù)存儲器芯片封裝市場的80%以上份額。同樣是在2016年，倒裝芯片BGA開始進(jìn)入DRAM存儲器芯片封裝市場，預(yù)計未來五年將以20%的復(fù)合年增長率成長，將占據(jù)整個存儲器芯片封裝市場的10%左右市場份額。隨著高帶寬需求的推動，DRAM/PC服務(wù)器領(lǐng)域的應(yīng)用日益增多，促進(jìn)了倒裝芯片市場的增長。三星電子(Samsung)已經(jīng)將其90%以上的DRAM芯片封裝轉(zhuǎn)換為倒裝芯片，SK海力士也開始轉(zhuǎn)型，其它廠商未來也都將逐步采用倒裝芯片。事實上，所有用于PC/服務(wù)器上的DDR5存儲器最終都將使用倒裝芯片。

　　
由于高帶寬和存儲器芯片對各種應(yīng)用中的高性能計算的低延遲需求，硅通孔(TSV)正被用于高帶寬存儲器芯片中。2016年硅通孔(TSV)市場在存儲器芯片封裝市場中的份額不到1%，但是未來五年的復(fù)合年增長率超過30%，預(yù)計到2022年，硅通孔(TSV)市場份額將達(dá)到8%。同時，晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)將被NOR閃存和利基市場的存儲器(EEPROMs / EPROM / ROM)采用，預(yù)計其復(fù)合年增長率超過10%，不過到2022年，晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)市場份額還不到1%。

　　
對于移動應(yīng)用，存儲器芯片封裝將主要維持在引線鍵合BGA平臺上，將會很快開始向高端智能手機(jī)的多芯片封裝(ePoP)邁進(jìn)。NAND閃存芯片的主要要求是低成本的高存儲密度。NAND采用引線鍵合堆疊形式，以便在單個封裝中提供高密度。

　　
NAND閃存芯片封裝將保持采用引線鍵合BGA形式，不會遷移到倒裝芯片。但是，東芝將開始在NAND閃存芯片中使用硅通孔(TSV)來提高高端應(yīng)用的數(shù)據(jù)傳輸速率。在東芝之后，我們相信三星電子和SK海力士將會推出硅通孔(TSV)封裝的NAND芯片。

　

關(guān)鍵詞：存儲器芯片   NAND閃存   DRAM

上一篇：存儲芯片市場年均增長9%