PSRAM即偽靜態(tài)RAM,要講到PSRAM首先得從SRAM和DRAM講起。
 
    SRAM和DRAM都代表易失性的存儲形式，當電源掉電時內(nèi)容丟失。SRAM使用六晶體管存儲單元存儲數(shù)據(jù)，速度更快，效率更高(比dram需要更少的功率)，允許數(shù)據(jù)殘留，并且通常更昂貴，接口簡單, 驅(qū)動簡單。
 
    相比之下，DRAM通過結(jié)合金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和金屬氧化物半導體(MOS)電容器來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，DRAM芯片更便宜，但需要從外部源不斷刷新以保留其電容器上的數(shù)據(jù)，接口復雜，驅(qū)動復雜。
 
    那么有沒有一種RAM能結(jié)合SRAM和DRAM的優(yōu)點，即容量大,又接口驅(qū)動簡單呢,有,因為有以上需求于是PSRAM應運而生，PSRAM接口和SRAM一樣簡單，驅(qū)動簡單；而存儲形式則和DRAM一樣，容量遠大于SRAM，介于SRAM和DRAM之間,現(xiàn)在一般是最大64MB。


本文關鍵詞：PSRAM,SRAM

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