NRAM它是一種基于沉積在芯片狀基板上的碳納米管位置的非易失性隨機存取存儲器，理論上，納米管的小尺寸可以實現(xiàn)非常高密度的存儲器。

 

    NRAM工作方式和其他存儲有所不同，其由碳納米管層所制作而成，碳納米管是由催化劑微粒（最常見的是鐵元）生長而來的。每個NRAM“單元”或晶體管由一個碳納米管網(wǎng)絡(luò)組成，其工作原理與其他非揮發(fā)性RAM技術(shù)相同。相互不接觸的碳納米管呈現(xiàn)高電阻狀態(tài)，代表“關(guān)閉”或“0”狀態(tài)；當碳納米管相互接觸時，它們呈現(xiàn)低電阻狀態(tài)，代表“開啟”或“1”狀態(tài)。

 

    與NAND和DRAM相比，NRAM能耗更低，待機模式的功耗接近于零，寫入速度更快，且具有無限的擴張性，F(xiàn)RAM突破不了100納米，EEPROM一般為60多納米， NOR Flash為十幾納米，而NRAM可以推進至5納米，未來的擴展空間比較大。

 

    NRAM 相對于傳統(tǒng)閃存的另一大優(yōu)勢是耐久度，可實現(xiàn)幾乎無限的讀寫循環(huán)。它們還具備耐熱、耐寒、抗電磁干擾和輻射的能力， Nantero表示，其在85攝氏度下可以保存數(shù)千年，并在300攝氏度下經(jīng)過了10年的測試，也沒有丟失哪怕一比特的數(shù)據(jù)。

 

    NRAM不但可以做數(shù)據(jù)儲存也可以做程序儲存，這一特性對消費類電子市場具備巨大吸引力。目前，針對獨立NRAM和嵌入式NRAM的產(chǎn)品開發(fā)項目正在進行中。正在尋求獨立NRAM的三個目的：用于DRAM替換，用于NAND閃存替換以及用于DRAM和NAND閃存都無法尋址的應(yīng)用。在嵌入式存儲器領(lǐng)域，正在進行使用嵌入式NRAM代替嵌入式非易失性存儲器的工作，包括嵌入式閃存或嵌入式RAM（SRAM或DRAM）。


本文關(guān)鍵詞：NRAM,SRAM,MRAM

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