存儲器大致可分為兩類：非易失性和易失性。非易失性存儲器可以通過數(shù)百萬次電源循環(huán)來存儲其內(nèi)容。內(nèi)存中的內(nèi)容會一直保留，直到它們被有意擦除或覆蓋。非易失性存儲器的兩個(gè)示例是閃存和HDD。相比之下，易失性存儲器在電源循環(huán)后會丟失其內(nèi)容。兩種常見類型的易失性存儲器是SRAM和DRAM。
 
  雖然SRAM和DRAM都是易失性的，但DRAM通常速度較慢，因?yàn)樗膶?shí)現(xiàn)方式。在DRAM中，每個(gè)位都使用電容器存儲。由于電容器會失去電荷，除非在板上連續(xù)施加電位差，因此需要定期刷新DRAM以防止數(shù)據(jù)丟失。這種定期刷新會導(dǎo)致高延遲，從而導(dǎo)致內(nèi)存變慢。
 
  另一方面，SRAM不使用電容器來存儲數(shù)據(jù)。相反，它使用多個(gè)晶體管（稱為SRAM單元）來存儲位。可以使用位線和字線網(wǎng)格寫入和讀取SRAM。
 
  要寫入一個(gè)典型的SRAM單元，相關(guān)的位線根據(jù)所需的值分別被驅(qū)動為低電平或高電平，然后世界線被驅(qū)動為高電平。要從典型的SRAM單元讀取數(shù)據(jù)，兩條位線都被驅(qū)動為高電平，然后是世界線被驅(qū)動為高電平。這樣，SRAM就可以區(qū)分讀取和寫入操作。
 
  對于智能手機(jī)等嵌入式和移動計(jì)算應(yīng)用，設(shè)計(jì)人員使用SRAM，它盡可能節(jié)能以延長設(shè)備的電池壽命。由于漏電流，功耗可以是主動的或被動的。在SRAM中，寄生電容導(dǎo)致電荷在存儲器電路中進(jìn)出移動，從而導(dǎo)致有功功率耗散。


本文關(guān)鍵詞：SRAM

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