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可增加應(yīng)用程序的串行SRAM芯片EMI7512NTMI

來(lái)源: 日期:2022-06-21 13:46:22

有兩種方法可以增加應(yīng)用程序的RAM。
 
1、使用更大的微控制器(MCU):如果必須購(gòu)買更大、更昂貴的MCU以獲得更多RAM,則此選項(xiàng)的吸引力較小。
 
2、使用外部并行RAM:但并行RAM使用大型封裝,通常需要至少16-20個(gè)I/O
 
下面介紹一款可用于外擴(kuò)的SRAM芯片EMI7512NTMI
 
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片廠家偉凌創(chuàng)芯EMI7512NTMI該器件是一款存儲(chǔ)器大小為512Kbi的Serial SRAM,它在內(nèi)部組織為64K字,每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘頻率20MHz,提供高速性能和低功耗。
 
EMI7512NTMI器件電源電壓范圍為2.7V~3.6V,工作電流最大2mA@1MHz,待機(jī)電流最大15µA@25℃,可在-40℃至+85℃(工業(yè)級(jí))的溫度范圍內(nèi)工作,并采用節(jié)省空間的8-TSSOP標(biāo)準(zhǔn)封裝封裝。
 
串行SRAM提供了在設(shè)計(jì)中添加RAM的靈活性,而沒(méi)有大型MCU或并行RAM的缺點(diǎn),并使用簡(jiǎn)單的4針SPI接口。這些器件還通過(guò)SDI和SQI接口提供了更高的性能,可將數(shù)據(jù)速率提高多達(dá)4倍。
 
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