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三大廠商的DDR5技術(shù)對比

來源: 日期:2022-06-06 15:26:18

三大DRAM制造商已開始量產(chǎn)其首批4800MHz或5600MHz的DDR5組件。預計DDR5設(shè)備具有D1a或D1α,然而,DDR5 DRAM芯片和單元/外圍設(shè)計看起來還沒有成熟,并且所有第一批DDR5芯片都采用了一些較舊的技術(shù)節(jié)點(設(shè)計規(guī)則),例如三星D1y、美光D1z,和SK海力士D1y。迄今為止,業(yè)界領(lǐng)先的工藝技術(shù)節(jié)點是D1a或D1α。表1顯示了美光、三星和SK海力士發(fā)布的首批DDR5設(shè)備的比較。
 
第一個是TeamGroup ELITE DDR5UDIMM,配備16GB DDR5設(shè)備,其中DDR5 MT60B2G8HB-48B:A芯片由美光(Y32A芯片)制造。第二個是G.SKILL Trident Z5 DDR5內(nèi)存F5-5600U3636C16GX2-TZ5K與三星DDR5K4RAH086VB-BCQK設(shè)備(K4RAH046VBdie)。第三個來自SKHynix,帶有32GB HMCG88MEBUA81N DDR5 UDIMMPC5-4800B模塊(H5CNAG8NMdie)。
 
美光應用了他們的M-D1z工藝技術(shù)節(jié)點,而三星和SK海力士采用了D1y單元工藝(S-D1y和H-D1y)。因此,美光(66.26mm2)的DDR5裸片尺寸小于三星(73.58mm2)和SKHynix的(75.21mm2)。
 
與三星和SK海力士相比,美光在DDR5上的單元尺寸和位密度方面有更大的進步。事實上,美光M-D1z工藝技術(shù)比三星和SK海力士的D1y工藝更先進,包括15.9nmD/R、poly-Si/TiNcellgate無W材料、更小的有源/WL/BL間距、先進的SNLP工藝和SN電容工藝和材料,以及CuMn/Cu金屬工藝。


本文關(guān)鍵詞:DRAM,DDR5 DRAM芯片

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