據(jù)預(yù)測(cè)，今年Nand Flash資本支出將增長(zhǎng)8%至299億美元，超過2018年278億美元的歷史新高。閃存資本支出在2017年飆升，當(dāng)時(shí)該行業(yè)向3D NAND過渡，此后每年都超過200億美元。2022年閃存的資本支出預(yù)計(jì)將增至299億美元，因?yàn)榇笮凸?yīng)商和小型供應(yīng)商又將保持適度激進(jìn)的支出水平。
 
299億美元的支出占2022年整個(gè)IC行業(yè)資本支出預(yù)測(cè)1904億美元的16%，僅落后于晶圓代工部門，該部門預(yù)計(jì)將占今年行業(yè)資本支出的41%。
 
隨著Nand Flash供應(yīng)商準(zhǔn)備從2022年底到2023年進(jìn)入200層以上設(shè)備的競(jìng)爭(zhēng)，將需要新的晶圓廠和新設(shè)備。三星和美光可能是第一個(gè)開始量產(chǎn)的公司今年晚些時(shí)候的200層設(shè)備。兩家公司以及SK海力士目前都在量產(chǎn)176層NAND。三星位于中國(guó)西安的晶圓廠是（并將成為）領(lǐng)先NAND的關(guān)鍵制造地點(diǎn)，擁有兩個(gè)晶圓廠，每個(gè)晶圓廠全面投產(chǎn)后每月可生產(chǎn)120,000片晶圓。隨著對(duì)企業(yè)存儲(chǔ)應(yīng)用的日益關(guān)注，SK海力士預(yù)計(jì)將在2023年遷移到196層。

本文關(guān)鍵詞：Nand Flash

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