當前的NAND內存進入200層以上競爭，NAND內存廠商計劃在2022年底到2023年期間推出200層以上的芯片產品，這是行業(yè)向更高密度的3D NAND內存過渡的里程碑。
  
三星計劃在中國西安工廠擴大128層3D NAND芯片的產量。目前該工廠正在建設第二期工廠，每月可生產13萬至14萬片晶圓，第一期工廠的月均生產量為12萬個。該消息人士認為，三星西安工廠將是決定其定價策略的關鍵，因為該工廠產量的大幅增加將有助于大幅降低供應商的整體生產成本。三星在晶圓廠的產量增加一倍以上的能力，也將為其未來的市場領導地位奠定基礎。
 
三星電子和美光科技可能是首批開始批量生產200層以上3D NAND內存芯片的廠商。三星在韓國平澤的新工廠于2021年下半年開始生產，并將在今年提高176層3D NAND芯片的產量，過渡到176層3D NAND內存制造，預計將使三星新工廠的總產量在2022年提高到每月5萬個晶圓。
 
與此同時，鎧俠可能成為日本政府68億美元半導體投資計劃的受益者之一。政府的補貼可能會幫助鎧俠在巖手縣的北上進行擴建項目，在那里將建立一個新的K2工廠。鎧俠在該地有一家3D NAND內存工廠K1。
 
鎧俠尚未披露其向200層以上3DNAND工藝生產過渡的計劃，但已宣布其與西部數據聯(lián)合開發(fā)的162層3D NAND。市場觀察人士預計，鎧俠將在2022年至2023年期間將162層3D NAND作為其主流制造工藝。
 
英特爾在其3D NAND內存制造中采用了雙棧的方法，該公司到2023年將推進到196層。
 
而美光早在2022年1月就宣布已開始批量出貨其宣稱業(yè)界首款176層QLC NAND SSD硬盤。它將努力在整個行業(yè)的利潤池中獲得更大的份額，而非增長其在行業(yè)產量中的份額。
 
中國方面，盡管進入NAND內存市場較晚，但長江存儲在提高128層3D NAND內存的生產收益率方面取得了進展。據悉，長江存儲已將64層3D NAND內存制造的收益率提高到成熟水平。長江存儲有望在2022年上半年實現月產量增至10萬片的目標。這家芯片制造商正努力進入中國一線品牌供應鏈，并將其目標市場擴大到包括手機和個人電腦應用。
 
預測2020-2025年全球NAND內存市場將以30%的復合年增長率增長，而數據中心市場在未來五年內將以39%的復合年增長率增長。

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