根據(jù)集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM存儲芯片價格已正式進入上漲周期，第二季受到終端產(chǎn)品需求持續(xù)暢旺以及資料中心需求回升的帶動，買方急欲提高DRAM芯片庫存水位。因此DRAM均價歷經(jīng)第一季約3~8%的上漲后，預估第二季合約價漲幅將大幅上揚13~18%。
 
其中第二季PC DRAM合約價上漲相對明顯，漲幅為13~18%；Server DRAM第二季將迎來采購高峰，估價格季增近20%；預期心理刺激買方擴大采購，Mobile DRAM價格將持續(xù)走揚；虛擬貨幣帶動顯卡需求所致，Graphics DRAM價格季增10-15%；consumer DRAM呈現(xiàn)罕見的重大缺貨潮，部分顆粒第二季合約價將有單季逼近20%的漲幅。
 
Nand Flash方面，第二季NAND Flash供應端在三星（Samsung）、長江存儲（YMTC）、SK海力士（SK Hynix）與英特爾（Intel）的帶領下，仍維持積極的擴張態(tài)勢，預估位元產(chǎn)出季增長可達近10%；需求端則是受惠自第一季以來持續(xù)有PC OEM、中國手機品牌廠的訂單支撐，以及自第二季起資料中心客戶將恢復采購動能的支撐。然而目前NAND Flash控制器供給吃緊的問題仍存，進而刺激買方積極備貨。
 
預期第二季NAND Flash價格將自第一季小幅下跌5~10%，轉(zhuǎn)為上漲3~8%。而目前三星位于美國德州奧斯汀的工廠尚未完全復工，對接下來的控制器供給產(chǎn)生更大隱憂，將使得三星在client SSD的供貨能力進一步受限。因此，不排除合約價上漲幅度有超過目前預測的可能。


關鍵詞：存儲芯片