存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)的關(guān)鍵組件之一，由DRAM與Nand Flash所主導(dǎo)的主導(dǎo)的存儲(chǔ)市場規(guī)模已超過1600億美元。而隨著處理器性能的不斷提升，滿足市場對(duì)速度和容量的需求，打破“存儲(chǔ)墻”的限制，業(yè)界開始試圖突破馮諾依曼架構(gòu)，由此新興存儲(chǔ)技術(shù)走進(jìn)了市場的視線范圍內(nèi)。
 
MRAM、RRAM和PCRAM被行業(yè)視為是新興的三大存儲(chǔ)技術(shù)。這些技術(shù)的出現(xiàn)不僅引起了老牌存儲(chǔ)廠商的注意，也吸引了一些新玩家的加入，在他們的共同推進(jìn)之下，近些年來新興存儲(chǔ)技術(shù)也開始逐漸步入商業(yè)化階段。在這個(gè)過程中，新興存儲(chǔ)技術(shù)又為存儲(chǔ)市場又迎來了新一輪的變革。
 
由于相較于DRAM，PCRAM能夠提供更低的功耗和成本，并且比固態(tài)硬盤和硬盤驅(qū)動(dòng)器具有更高的性能。由此也引起了一些廠商的注意。
 
另一值得注意的是MRAM的發(fā)展。行業(yè)認(rèn)為，MRAM除了其具備更好的儲(chǔ)存效能外，更重要的是，現(xiàn)今的處理器(CPU)制程不停朝微縮化邁進(jìn)，以因應(yīng)高速運(yùn)算需求。因此MRAM獲得了很多廠商的關(guān)注，在這個(gè)過程當(dāng)中也產(chǎn)生了一些變體，包括STT-MRAM、SOT-MRAM等 。在MRAM的發(fā)展過程當(dāng)中，臺(tái)積電、三星和Everspin等幾家晶圓代工廠商的加入也被行業(yè)視為是內(nèi)存市場的一次巨大轉(zhuǎn)變。
 
雖然MRAM技術(shù)被業(yè)界所看好，但從商業(yè)化推進(jìn)上看，其在發(fā)展的道路仍充滿挑戰(zhàn)。由此或許我們可以將之理解成為，在MRAM推進(jìn)商業(yè)化的過程當(dāng)中，市場也會(huì)對(duì)相關(guān)企業(yè)進(jìn)行一次大浪淘沙。

關(guān)鍵詞：NOR Flash