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意法半導體MCU STM32F10xxx睡眠模式

來源: 日期:2019-11-15 11:06:54

意法半導體MCU STM32F100xx低密度和中密度器件的工作溫度范圍為– 40至+ 85°C和– 40至+ 105°C,電源電壓范圍為2.0至3.6V。一套全面的省電模式允許設計低功耗應用。

默認情況下,系統(tǒng)或電源復位后,微控制器處于運行模式。 當不需要保持CPU運行時,有幾種低功耗模式可以節(jié)省功率,例如,在等待外部事件時。 由用戶決定選擇哪種模式在低功耗,短啟動時間和可用的喚醒源。睡眠模式是低功耗模式之一

STM32F10xxx睡眠模式
表1
進入睡眠模式

通過執(zhí)行WFI(等待中斷)或WFE(等待事件)指令進入睡眠模式。根據(jù)Cortex-M3系統(tǒng)控制寄存器中的SLEEPONEXIT位,有兩個選項可用于選擇睡眠模式進入機制:

●立即休眠:如果SLEEPONEXIT位被清除,則在執(zhí)行WFI或WFE指令后,MCU便進入休眠模式。

●退出時休眠:如果SLEEPONEXIT位置1,則一旦退出最低優(yōu)先級ISR,MCU便進入休眠模式。

在休眠模式下,所有I / O引腳保持與運行模式相同的狀態(tài)。

有關如何進入休眠模式的詳細信息,請參見表1和表2。
表2
退出睡眠模式
 
如果使用WFI指令進入睡眠模式,則嵌套向量中斷控制器(NVIC)確認的任何外設中斷都可以將器件從睡眠模式喚醒。

如果使用WFE指令進入休眠模式,則一旦事件發(fā)生,MCU就會退出休眠模式??梢酝ㄟ^以下任一方式生成喚醒事件:

●使能外設控制寄存器中的中斷而不是NVIC中的中斷,并使能Cortex-M3系統(tǒng)控制寄存器中的SEVONPEND位。當MCU從WFE恢復時,必須清除外圍中斷掛起位和外圍NVIC IRQ通道掛起位(在NVIC中斷清除掛起寄存器中)。

●或在事件模式下配置外部或內部EXTI線路。當CPU從WFE恢復時,無需清除外設中斷掛起位或NVICIRQ通道掛起位,因為未設置與事件線相對應的掛起位。

此模式提供了最短的喚醒時間,因為在中斷進入/退出時不會浪費時間。另外,靈動微MCU MM32F10系列可直接與STM32F10系列相互代替兼容.

靈動微MCU選型鏈接:http://kkya.com.cn/list-75-1.html

關鍵詞:意法半導體MCU
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