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SRAM市場動向
當今世界環(huán)境保護已蔚然成風,力求節(jié)約能源,因此強烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導體工藝精細化,SRAM要求低電
2020-05-25
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如何減小SRAM讀寫操作時的串擾
靜態(tài)存儲器SRAM是一款不需要刷新電路即能保存它內部存儲數(shù)據的存儲器。在SRAM 存儲陣列的設計中,經常會出現(xiàn)串擾問題發(fā)生。那么要如何減小
2020-05-19
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SRAM中的功耗來源
在CMOS電路中,功耗的來源主要有兩個方面(1)靜態(tài)功耗,即反向漏電流造成的功耗;(2)動態(tài)功耗,由電路作開關轉換時進入過渡區(qū)由峰值電流
2020-05-15
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帶有ECC的256Kx16高速異步SRAM
ISSIIS61WV25616EDALL是高速,低功耗4M位靜態(tài)RAM,組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術制造,并實現(xiàn)了ECC功能以提高可靠性。當
2020-05-13
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SRAM靈敏放大器的類型及設計思想
為了在設計中既能提高存儲單元的讀取速度,又能增大信號的擺幅,在設計中,我們采用了差分與交叉耦合級聯(lián)結構。
2020-05-11
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SRAM中靈敏放大器的原理
在SRAM 中,讀操作開始前,先要對兩條位線進行預充電,將兩條位線初始化為相同的高電平。預充完后,字線選中的存儲單元對位線進行充放電。
2020-05-08
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