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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:儲能電介質(zhì)充放電測試系統(tǒng)

  • 產(chǎn)品型號:Huace-DCS10KV
  • 產(chǎn)品廠商:華測
  • 產(chǎn)品價格:0
  • 折扣價格:0
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簡單介紹:
儲能電介質(zhì)充放電測試系統(tǒng)簡介 儲能電介質(zhì)充放電測試系統(tǒng)采用特殊高壓開關(guān),通過單刀雙擲控制充電和放電過程,開關(guān)可以承受10kV高壓,寄生電容小,動作時間短;
詳情介紹:

儲能電介質(zhì)充放電測試系統(tǒng)

產(chǎn)品簡介


        華測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充放電系統(tǒng)采用**設(shè)計的電容放電電路來測量,測試電路如下圖所示。在該電路中,首先將介電膜充電到給定電壓,之后通過閉合高速MOS高壓開關(guān),存儲在電容器膜中的能量被放電到電阻器負載。在放電過程中電壓對樣品的時間依賴性可以通過檢波器進行記錄。介電材料的儲能性能通常取決于放電速度,可通過改變負載電阻器的電阻來調(diào)節(jié)。通常測試系統(tǒng)中裝了具有不同電阻的電阻器。在測試過程中,用戶需要選擇電阻器或幾個電阻器的組合獲得得所需的電阻,并將電阻器或電阻的組合連接到測試的電介質(zhì)材料。在該電路中,選擇高壓MOSFET開關(guān)以釋放儲存的能量非常重要。該開關(guān)限制電路的*大放電速度和*大充電電壓。本套測試系統(tǒng)由放電采集電路、高壓放大器或高壓直流電源和控制計算機構(gòu)成。在測試中,測試人員需要通過選擇合適的電阻來確定測量的放電速度,測試樣品上的電壓可以由計算機自動獲得。



主要參數(shù)


1、電流探頭帶寬:120MHz;
2、峰值電流:0-100A,150 A(多種電流可監(jiān)測);
3、電流采集精度:1mA;
4、高壓源模塊:3KV,5KV, 10kV,15KV多可選(電流:0-5mA);
5、開關(guān)適用:100萬次,耐壓15kV;
6、溫控范圍:0-200℃;
7、溫度穩(wěn)定性和精度:0.1℃;
8、測試樣品:薄膜,厚膜,陶瓷,玻璃等;
9、可以配合各種極化設(shè)備進行多種壓電材料和介電材料的測試。


產(chǎn)品特點:


1、 本系統(tǒng)采用特殊高壓開關(guān),通過單刀雙擲控制充電和放電過程,開關(guān)可以承受10kV高壓,寄生電容小,動作時間短;
2、 電壓10kV,電流5mA;
3、 可外接高壓放大器或高壓直流電源;
4、 通過電流探頭檢測放電電流,可達100A;
5、 可以實現(xiàn)欠阻尼和過阻尼兩種測試模式,欠阻尼測試時,放電回路短路,不使用電阻負載,過阻尼測試時,使用較大的高精
度無感電阻作為放電負載;
6、 可以作為一個信號源,產(chǎn)生任意波形;
7、 通過示波器采集數(shù)據(jù),并能直接計算儲能密度;
8、 定制載樣平臺,可適用于陶瓷和薄膜樣品測試;
9、 可以進行變溫測試,RT~200℃;
10、 可以進行疲勞測試;
11、 還可用于極化材料之用




利用放電電路進行測試
與P-E回滯測量類似,在放電測試之前,應(yīng)在介電材料的表面制備導電電極,
還應(yīng)測量可用于估計測試的放電速度的弱場介電特性。因為在測試中經(jīng)常涉及
幾千伏的高電壓,所以介電材料通常浸入硅油中。測試者應(yīng)該確定他們感興趣
的放電速度。放電速度可以通過樣品的低場電容C和負載電阻RL(RLC常數(shù))
粗略計算。一旦確定了期望的放電速度,就可以選擇負載電阻器并將其連接到
測試樣品,然后將充電電壓施加到介電材料。一旦樣品完全充電,然后通過按
下電路盒上的放電按鈕關(guān)閉高速開關(guān),將儲存的能量釋放到負載電阻器,電阻
器上電壓的時間依賴性就可由計算機自動記錄。
在此將以P(VDF-TrFE-CFE)三元共聚物(63/37/7.5)作為示例材料,來
演示如何解釋放電結(jié)果。使用上圖所示的電路,表征三元共聚物對負載電阻器
的放電行為。使用時間相關(guān)的電壓數(shù)據(jù)公式,可以計算放電能量密度的時間依
賴性。圖中顯示了三元共聚物中不同充電電場的1MΩ負載的放電能量密度隨
時間的變化??偡烹娔芰棵芏扰c從單極P-E回路推導出的能量密度相當。這里
使用薄膜樣品的電容在1kHz下測量為約1nF。對幾種三元共聚物膜樣品進行表
征發(fā)現(xiàn),由于極化響應(yīng)的非線性和頻率依賴性,三元共聚物的放電特性不能簡
單地通過RC常數(shù)來描述,其中R是電阻(R=RL+ESR)
假設(shè)電容器電容不隨頻率、電場和RC電路的時間常數(shù)(τ=RLC+ESRXC)變化,
如果RL>ESR,可以忽略ESRXC,,則放電能量密度與時間的關(guān)系如下:
Uc(1)=UD(1-e-(21/t))
式中,UD為放電能量。
為了便于比較,使用1nF的電容和1MΩ的負載電阻,利用公式來估算能量放電
時間。70%能量釋放所需理論放電時間為0.6ms,50%能量釋放所需理論放電
時間為0.35ms。而實驗中,這兩種能量釋放所需放電時間分別為0.66ms和
0.3ms。估計值和測量值之間的差異反映了非線性[有效介電常數(shù)在高場(>
100MV/m)變?。莺徒殡婍憫?yīng)的頻率依賴性(介電常數(shù)在更高頻率或更短
放電時間下變得更小)。此外,ESR在高頻(或短放電時間)下很小,并且在
放電后時間變長。
對于相同的三元共聚物薄膜電容器,其他負載電阻((RLL分別為100kΩ和
1kΩ)下放電能量密度如圖所示。正如預期的那樣,減小的RL會縮短放電時
間。然而,仔細檢查實驗數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn),放電時間的減少與RL的減少不成比例。


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